在科技的浪潮中，创新如火如荼。第三代半导体碳化硅（SiC）材料的崭新登场，正在以惊人的姿态重塑能源世界。

相较于传统硅（Si）材料，SiC材料以其禁带宽度高、临界击穿场强、电子饱和漂移率高、热导率和耐温高等出色特性，创造了一片全新的蓝海，将SiC器件推向高频率、高效率和高功率密度的无限可能领域。

引领者的选择

巨子半导体SiC MOSFET系列

作为功率半导体领域专业服务商，巨子半导体深谙SiC材料的无限潜力，已成功开发SiC MOSFET系列器件产品。产品击穿电压囊括650V、1200V、1700V，导通电阻涵盖10~1000mΩ，多样化的封装形式（TO-247-3L、TO-247-4L、TO-263-2L、TO-263-7L），为不同客户提供量身定制的解决方案。

卓越品质，无与伦比

SiC MOSFET系列优势特性

巨子半导体SiC MOSFET系列产品，集众多优势于一身：

• 寄生电容小，开关速度快；
• 开关损耗极低，适用于高频工作；
• 最高工作结温175℃，适用于高温工作；
• 驱动简单，使用方便；
• 6英寸薄片工艺，芯片厚度180um，热阻低，散热好;
• 电流密度高，便于模块集成封装。

引领未来

巨子半导体助力能源革新

巨子半导体SiC MOSFET系列器件，被广泛应用于新能源领域的重要场景。

从充电桩、光伏逆变器，到储能逆变器和高性能辅助电源，巨子半导体产品正在助力能源行业颠覆性的变革，开创高效能源新纪元。