涵盖Q2、HPD、Econodual、DWC3、DCM、62mm六大封装系列，集成度高、可靠性好、稳定性强，适用于大功率应用场景
GCS800F120HPD，800A/1200V，国产替代最大电流SiC MOSFET模块，Pin-Fin直接水冷，Si3N4陶瓷封装
GCS800F120ECD，真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，集成NTC温度传感器，寄生电感小于15nH
GCS800F120DW，AlSiC底板+低热值AlN陶瓷，第三代模块寄生电感低于10nH，集成NTC温度传感器
GCS800F120DM，单面水冷+模封工艺，功率密度高，适用高温高频应用，集成NTC温度传感器
GCS200F120BM/GCS300F170BM，全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，高功率密度，低开关损耗
GCG400F1203LDQ2，低导通电阻，高功率密度，低杂散电感，小电容效应，支持高频操作，自带热敏电阻
| 产品型号 | 类型 | 耐压 V(BR)DSS(V) | 导通电阻 RDS(on)(mΩ) | 电流 ID(A) | 阈值电压(V) | 封装形式 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GC2M013120K | MOSFET | 1200 | 13 | 140 | 3.0 | TO-247-4L |
| GC2M016120D | MOSFET | 1200 | 16 | 115 | 2.6 | TO-247-3L |
| GC2M020065D | MOSFET | 650 | 20 | 92 | 2.6 | TO-247-3L |
| GC2M023170K | MOSFET | 1700 | 20 | 119 | 2.6 | TO-247-4L |
| GC2M030065K | MOSFET | 650 | 30 | 55 | 2.6 | TO-247-4L |
| GC2M040120K | MOSFET | 1200 | 40 | 60 | 3.2 | TO-247-4L |
| GC2M050330K | MOSFET | 3300 | 50 | 68 | 2.6 | TO-247-4L |
| GC2M080120D | MOSFET | 1200 | 80 | 36 | 2.4 | TO-247-3L |
| GCS800F120HPD | 模组(三相全桥) | 1200 | 2 | 800 | 2.6 | HPD |
| GCS800F120ECD | 模组(半桥) | 1200 | 2 | 800 | 2.6 | Econodual |
| GCS200F120BM | 模组(半桥) | 1200 | 8 | 240 | 2.6 | 62mm |
| GCG400F1203LDQ2 | 模组(三电平) | 1200 | TBD | 400 | 2.5 | Q2 |