SiC MOSFET

SIC MOSFET

SiC MOSFET 碳化硅场效应管

击穿电压囊括650V、1200V、1700V、3300V,导通电阻涵盖10~1000mΩ,多样化封装形式为不同客户提供量身定制的解决方案

热销 MOSFET

GC2M065 系列 — 650V SiC MOSFET

面向新能源汽车OBC和DC-DC应用,寄生电容小,开关速度快,适用于高频工作

650V20-60mΩTO-247-3L/4L
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热销 MOSFET

GC2M120 系列 — 1200V SiC MOSFET

面向主驱逆变器和光伏逆变器,开关损耗极低,6英寸薄片工艺,芯片厚度180um

1200V13-80mΩTO-247-3L/4L/SOT-227
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新品 MOSFET

GC2M170 系列 — 1700V SiC MOSFET

面向轨道交通和工业大功率应用,高耐压高可靠性,最高工作结温175℃

1700V20-45mΩTO-247-4L/SOT-227
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新品 MOSFET

GC2M330 系列 — 3300V SiC MOSFET

面向柔性直流输电和固态变压器,超高耐压等级,电流密度高

3300V50mΩTO-247-4L
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